ВИЗНАЧЕННЯ ТЕХНОЛОГІЇ ТА УМОВ ВИГОТОВЛЕННЯ ГЕТЕРО СТРУКТУРНИХ ТОНКОПЛІВКОВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ

- сонячна енергія, гетероструктура, технологія, ефективність, характеристики, метод напилення, вибір компонентів, діаграма, р-шар.
Авторське право (c) 2020 Ширбек Олімов, Анархан Касімахунова; Чен Ноу-Фу (Науковий керівник)

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Анотація
У роботі наведені результати дослідження найбільш досконалої технології виготовлення напівпровідникових фотоелектричних перетворювачів енергії. Проаналізовано методи виготовлення та дослідження тонкоплівкових гетеропереходних сонячних елементів на основі кремнію р-типу. Зроблено вибір матеріалів вихідних компонентів і структура тонкопленочного сонячного елемента. За результатами розробленої технології отримання високоефективного перетворювача з базовим шаром р-типу методом напилення на вакуумній магнетронній машині з прискореної термічною обробкою, вказано шляхи поліпшення продуктивності сонячних елементів. Пояснено деякі вимоги до виготовлення найбільш ефективних фотоелектричних перетворювачів. За основу критерію відбору матеріалів бралися електрофізичні властивості напівпровідників.
Завантаження
Посилання
- Sharma B.L., Purohit R.K., Mukerjee S.N. Infrared Phis. (1970). 225.
- Алферов Ж.И., Зимогорова Н.С., Туркан М.К., Тушкевич В.М. Некоторые фотоэлектрические свойства p – n гетеропереходов фосфид галлия – арсенид галлия. (1965). ФТП, 4, 1235.
- Olimov Sh.Q., Chen N., Kasimakhunova A.M., Sued J.A.Sh., Khurram Y., Numan A., Tao Q.L., Yang X.Y. Heterojunction silicon photoconverters obtained by the evaporation method in a vacuum. (2019). 2nd International Conference on Computing, Mathematics &Engineering Technologic. SustainableTechnologies for Soco-economic Developmtnt. iCOMET 2019, (стр. 1-5). Pakistan.
- Kasimakhunova A.M., Olimov Sh.Q., Mamadalieva L.K., Nurdinova R.A., Zokirov S.I., Norbutaev M.A. Development and research of heterostructures with an internal thin lauer based on p-type silicon. (2018). Europan science rewiev, 1(9-10), 183-185.
- Why Panasonic HITTM [EB/OL]. (б.д.). Получено из https://panasonic.net/ecosolutions/solar/hit/index.html
- Technology [EB/OL]. (б.д.). Получено из https:/ /panasonic.net/ecosolutions/solar/technology/index.html
- 杨秀钰,陈诺夫,陶泉丽,徐甲然,张 航,陈 梦,白一鸣,陈吉堃, 本征薄层异质结 (HIT) 太阳能电池的研究现状及展望. (б.д.).
- 李正平,沈文忠. 高效 HIT 太阳电池组件及其应用(J). (2015). 上海节能, 41-45.
- Maruyama E., Terakawa A., Taguchi M. Sanyo's Challenges to the Development of High-efficiency HIT Solar Cells and the Expansion of HIT. (2007). Photovoltaic Energy Conversion, Conference Record of the 2006 IEEE, World Conference on. (стр. 1455-1460). IEEE.
- Taguchi M., Terakawa A., Maruyama E. Obtaining a higher Voc in HIT cells [J]. (2005). Progress in Photovoltaics Research & Applications(13(6)), 481-488.
- Descoeudres A., Holman Z., Barraud L. > 21% Efficient Silicon Heterojunction Solar Cells on n- and p-Type Wafers Compared [J]. (2013). Journal of Photovoltaics(3(1)), 83-89.
- [陈 晨., 贾 锐., 朱晨昕., 等. 异质结及其技术在新型硅基太阳能电池中的应用[J]. (2010). 物理(39(2)), 123-129.
- Yoshikawa K., Kawasaki H., Yoshida W. Silicon heterojunction solar cell with interdigitated back contacts for a photoconversion efficiency over 26%[J]. (2017). Nature Energy(2(5)), 17032