ΛΌГOΣ.ONLINE (2020)
Фізико-математичні науки

ВИЗНАЧЕННЯ ТЕХНОЛОГІЇ ТА УМОВ ВИГОТОВЛЕННЯ ГЕТЕРО СТРУКТУРНИХ ТОНКОПЛІВКОВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ

Ширбек Олімов
Північно-Китайський Університет Енергетики
Про автора
Анархан Касімахунова
Ферганський політехнічний інститут
Про автора
Чен Ноу-Фу
Північно-Китайський Університет Енергетики
Про автора
Дата публікації січень 14, 2020
Ключові слова
  • сонячна енергія, гетероструктура, технологія, ефективність, характеристики, метод напилення, вибір компонентів, діаграма, р-шар.
Як цитувати
Олімов, Ш., Касімахунова, А., & Ноу-Фу, Ч. (2020). ВИЗНАЧЕННЯ ТЕХНОЛОГІЇ ТА УМОВ ВИГОТОВЛЕННЯ ГЕТЕРО СТРУКТУРНИХ ТОНКОПЛІВКОВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ. ΛΌГOΣ. ОНЛАЙН. https://doi.org/10.36074/2663-4139.05.03

Анотація

DOI 10.36074/2663-4139.05.03

У роботі наведені результати дослідження найбільш досконалої технології виготовлення напівпровідникових фотоелектричних перетворювачів енергії. Проаналізовано методи виготовлення та дослідження тонкоплівкових гетеропереходних сонячних елементів на основі кремнію р-типу. Зроблено вибір матеріалів вихідних компонентів і структура тонкопленочного сонячного елемента. За результатами розробленої технології отримання високоефективного перетворювача з базовим шаром р-типу методом напилення на вакуумній магнетронній машині з прискореної термічною обробкою, вказано шляхи поліпшення продуктивності сонячних елементів. Пояснено деякі вимоги до виготовлення найбільш ефективних фотоелектричних перетворювачів. За основу критерію відбору матеріалів бралися електрофізичні властивості напівпровідників.

Переглядів: 35

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Посилання

  1. Sharma B.L., Purohit R.K., Mukerjee S.N. Infrared Phis. (1970). 225.
  2. Алферов Ж.И., Зимогорова Н.С., Туркан М.К., Тушкевич В.М. Некоторые фотоэлектрические свойства p – n гетеропереходов фосфид галлия – арсенид галлия. (1965). ФТП, 4, 1235.
  3. Olimov Sh.Q., Chen N., Kasimakhunova A.M., Sued J.A.Sh., Khurram Y., Numan A., Tao Q.L., Yang X.Y. Heterojunction silicon photoconverters obtained by the evaporation method in a vacuum. (2019). 2nd International Conference on Computing, Mathematics &Engineering Technologic. SustainableTechnologies for Soco-economic Developmtnt. iCOMET 2019, (стр. 1-5). Pakistan.
  4. Kasimakhunova A.M., Olimov Sh.Q., Mamadalieva L.K., Nurdinova R.A., Zokirov S.I., Norbutaev M.A. Development and research of heterostructures with an internal thin lauer based on p-type silicon. (2018). Europan science rewiev, 1(9-10), 183-185.
  5. Why Panasonic HITTM [EB/OL]. (б.д.). Получено из https://panasonic.net/ecosolutions/solar/hit/index.html
  6. Technology [EB/OL]. (б.д.). Получено из https:/ /panasonic.net/ecosolutions/solar/technology/index.html
  7. 杨秀钰,陈诺夫,陶泉丽,徐甲然,张 航,陈 梦,白一鸣,陈吉堃, 本征薄层异质结 (HIT) 太阳能电池的研究现状及展望. (б.д.).
  8. 李正平,沈文忠. 高效 HIT 太阳电池组件及其应用(J). (2015). 上海节能, 41-45.
  9. Maruyama E., Terakawa A., Taguchi M. Sanyo's Challenges to the Development of High-efficiency HIT Solar Cells and the Expansion of HIT. (2007). Photovoltaic Energy Conversion, Conference Record of the 2006 IEEE, World Conference on. (стр. 1455-1460). IEEE.
  10. Taguchi M., Terakawa A., Maruyama E. Obtaining a higher Voc in HIT cells [J]. (2005). Progress in Photovoltaics Research & Applications(13(6)), 481-488.
  11. Descoeudres A., Holman Z., Barraud L. > 21% Efficient Silicon Heterojunction Solar Cells on n- and p-Type Wafers Compared [J]. (2013). Journal of Photovoltaics(3(1)), 83-89.
  12. [陈 晨., 贾 锐., 朱晨昕., 等. 异质结及其技术在新型硅基太阳能电池中的应用[J]. (2010). 物理(39(2)), 123-129.
  13. Yoshikawa K., Kawasaki H., Yoshida W. Silicon heterojunction solar cell with interdigitated back contacts for a photoconversion efficiency over 26%[J]. (2017). Nature Energy(2(5)), 17032