HOMOSTRUCTURAL FIELD TRANSISTORS ON GALLIUM ARSENIDE FOR SENSOR MICROSYSTEMS
PDF

Як цитувати

Kohut, I., Novosiadliy, S., & Benko, T. (2020). HOMOSTRUCTURAL FIELD TRANSISTORS ON GALLIUM ARSENIDE FOR SENSOR MICROSYSTEMS. Збірник наукових праць ΛΌГOΣ, 72-74. https://doi.org/10.36074/21.08.2020.v1.29
https://doi.org/10.36074/21.08.2020.v1.29
PDF

Посилання

K.E. Nelson, L. Gamble, L.S. Jung, M.S. Boeckl, E. Neemi, S.L. Golledge, T Sasaki, D.G. Gastner, C.T. Campbell, and P.S. Stayton.(2011).”Surfuce Characterization of Mixed Self-Assembled Monolayers Designed for Streptavisdin Immobilization”, Langmuir, vol. 17, pp. 2807 – 2816.

Holota, V.I., Kogut, I., Druzhinin, A., Khoverko, Y. (2014). “High sensitive active MOS photo detector on the local 3D SOI-structure”, Advanced Materials Research, vol. 854, pp. 45-47.

3.Kogut, I.T., Holota, V.I., Druzhinin, A.A., Dovhij, V.V. (2016). “The device-technological simulation of local 3D SOI-structures, Journal of Nano Research, vol. 39, pp. 228-234.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

| Переглядів: 15 | Завантажень: 8 |