ГОМОСТРУКТУРНІ ПТ ДЛЯ СЕНСОРНИХ МІКРОСИСТЕМ НА ФОСФІДІ ІНДІЮ
PDF

Як цитувати

Новосядлий, С., & Бенько, Т. (2020). ГОМОСТРУКТУРНІ ПТ ДЛЯ СЕНСОРНИХ МІКРОСИСТЕМ НА ФОСФІДІ ІНДІЮ. Матеріали конференцій МЦНД, 52-55. вилучено із https://ojs.ukrlogos.in.ua/index.php/mcnd/article/view/3531
PDF

Посилання

Новосядлий, С.П. (2003) Фізико-технологічні основи субмікронної технології ВІС.- Івано-Франківськ: Сімик.

Новосядлий, С.П.. (2010). Суб- і наномікронна технологія структур ВІС. - Івано-Франківськ: Місто НВ.

Новосядлий, С.П., Вівчарук, В.М. (2009). Технологічні особливості формування шаруватих нано-структур. Східно-Європейський журнал передових технологій. 17(97), сс. 26-39.

Маллер, Р., Кейминс, Т. (1989). Элементы интегральных схем. Мир, М.

Калниболотский, Ю.М., Корольов,Ю.В., Богдан, Г.И., Рогоза, В.С. (1989). Расчет и конструирование микросхем. Вища школа, К.

Nicollian, E., Brews, J.. (1992). MOS Physics and Technology. Wiley-Interscience, New-York.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

| Переглядів: 0 | Завантажень: 0 |